ТРИТОН-электронные компоненты

Поставка электронных компонентов - 718-84-05
Тритон-электронные компоненты

 

www.trt.ru

 

 

 

 
 

 

Транзисторы NXP для мощных радиопередающих систем

Компания NXP Semiconductors, известная ранее как Philips Semiconductors, выделенная в самостоятельную компанию в 2006 году, является одним из лидеров на рынке производства полупроводниковых элементов.

NXP – одна из ведущих компаний в области производства высокочастотных полупроводниковых элементов. Конструкция высокочастотных устройств становится все более сложной. Тем не менее, продукция компании NXP позволяет добиться высокой производительности и, при этом, имеет простую конструкцию. Номенклатура высокочастотных компонентов NXP подходит для большинства систем коммуникации и передачи данных, таким образом легко найти решение, которое соответствует специфическим требованиям. В портфолио высокочастотных компонентов NXP вы можете найти: РЧ-синхронизаторы, трансиверы ( GSM / GPRS / EDGE ), продукты промежуточной частоты (смесители, преобразователи, переключатели, усилители), микшеры/осцилляторы, высокочастотные диоды, высокочастотные операционные усилители, высокочастотные транзисторы высокой мощности, полевые транзисторы для слабых сигналов, передатчики, высокочастотные широкополосные транзисторы, микросхемы с низким уровнем шума, кремниевые ТВ-приемники, коммутаторы, и другие приемники, например для автомобильных стерео радиоприемников. В этом обзоре мы рассмотрим высокочастотные транзисторы большой мощности.

Транзисторы выпускаются по различным технологиям: биполярной, VDMOS и LDMOS. Биполярная технология широко применялась в 70-х годах 20 века и на данный момент хорошо изучена и описана во многих литературных статьях. Технология VDMOS так же широко распространена, транзисторы, изготовленные по этой технологии имеют ряд преимуществ над биполярными транзисторами, но бoльший интерес вызывает LDMOS технология нового поколения.

VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) – двухдиффузионная технология с вертикальной МОП-структурой. Эта технология обладает улучшенной термостабильностью и плотностью мощности транзисторов по сравнению с биполярными транзисторами.

LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors) - смещенно-диффузная МОП технология на основе кремния. Технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками по сравнению с биполярной технологией, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Это достаточно молодая технология, которая основное развитие получила в конце 80-х – начале 90-х годов 20 века и стала одной из ключевых технологий на рынке высокочастотных устройств.

На LDMOS технологии в настоящее время выпускается большинство мощных высокочастотных транзисторов. Существует два основных класса конструкции LDMOS-транзисторов. Первый основывается на использовании заземленного экрана (grounded Faraday shield) для обеспечения изоляции стока (drain) от затвора (gate) и уменьшения емкости обратной связи CDG . Как правило, такая конструкция используется при длине затвора более 0,5 мкм (рис.1).

Второй класс конструкции (использующийся преимущественно при длине затвора менее 0,5 мкм) основывается на применении заземленной металлизированной области (grounded field plate) и позволяет не только уменьшить емкость обратной связи CDG, но и понизить значение дрейфа тока между стоком и затвором I DG .

 


Рисунок 1. Вертикальный срез структуры ячейки типового LDMOS-транзистора, использующего заземленный экран

 


Рисунок 2. Вертикальный разрез структуры ячейки типового LDMOS-транзистора, использующего заземленную металлизированную область

В портфолио продукции NXP мощных транзисторов насчитывается более 100 модификаций для четырех направлений применения, для базовых станций сотовой связи, широковещательные транзисторы, транзисторы СВЧ, микроволновые транзисторы. Транзисторы выпущены по различным технологиям: биполярной и LDMOS. Области применения высокочастотных транзисторов имеют достаточно широкий диапазон: СВЧ-связь (транзисторы для базовых станций сотовой, радиорелейной связи, космической связи), индустриальные применения (возбудительные каскады лазеров, телевизионные радиопередатчики, радары гражданского и военного назначения), научной деятельности и медицине.


Транзисторы для базовых станций сотовой связи

Высокочастотные транзисторы NXP для базовых станций выполнены по LDMOS технологии и имеют следующие параметры:

Исполнительные устройства и драйвера до 1 ГГц

Продукт

Корпус

Режимы

Частота, МГц

Выходная мощность, Вт

Усиление по мощности, дБ

Исполнительное устройство

BLF6G10LS-200R

SOT502B

2C W-CDMA

869-894

40

20

BLF6G10LS-160

SOT502B

2C W-CDMA

800-1000

32

22

BLC6G10LS-160

SOT896B

2C W-CDMA

800-1000

32

22,5

BLC6G10-160

SOT895A

2C W-CDMA

800-1000

32

22,5

BLF6G10LS-135R

SOT502B

2C W-CDMA

869-894

26

21

Драйвера

BLF 6 G10 S -45

SOT608B

CW;
2C W-CDMA

800-1000

45
1

23,5
23

BLF 6 G10-45

SOT608A

CW;
2C W-CDMA

800-1000

45
1

23,5
22,5

BLF 6 G21-15

SOT538A

CW

800-4000

10

TBD

BLF3G21-30

SOT467C

2-Tone;
PHS class A

HF-2200

30
9

13.5
16

BLF3G21-6

SOT538A

2-Tone;
PHS class A

HF-2200

6
2

13,5
16

BLF1046

SOT467C

CW

HF-1000

50

16

BLF1822-10

SOT467C

CW

HF-2200

12

13

BLF1043

SOT538A

CW

HF-1000

10

18,5

BGF802-20

SOT365C

CW;
CDMA

869-894

25
3

30

BGF844

SOT365C

CW;
EDGE

869-894

23
2,5

30

BGF944

SOT365C

CW;
EDGE

920-960

17
2,5

30

 

Исполнительные устройства и драйвера до 2 ГГц

Продукт

Корпус

Режимы

Частота, ( мин-макс ) МГц

Выходная мощность, Вт

Усиление по мощности, дБ

Исполнительное устройство

BLF6G20-180PN

SOT539A

2C W-CDMA

1800-2000

50

18

BLF6G20 LS -180 R

SOT502B

2C W-CDMA

1800-2000

40

17

BLF6G20-180 R

SOT502A

2C W-CDMA

1800-2000

40

17

BLF6G20 LS -1 40

SOT896B

2C W-CDMA

1800-2000

35,5

16,5

BLF6G20 LS -1 10

SOT502B

2C W-CDMA

1800-2000

25

18

BLF6G20-1 10

SOT502A

2C W-CDMA

1800-2000

25

19

BL C 6G20 LS -1 10

SOT896B

2C W-CDMA

1800-2000

25

19

BL C 6G20-1 10

SOT502A

2C W-CDMA

1800-2000

25

18

BL C 6G20-1 10

SOT895A

2C W-CDMA

1800-2000

25

18

BLF6G20 LS - 75

SOT502B

CW;
EDGE

1800-2000

63
29,5

19
19

BLF6G20- 75

SOT502A

CW;
EDGE

1800-2000

63
29,5

19
19

BL C 6G20 LS - 75

SOT896B

CW;
EDGE

1800-2000

63
29,5

19
19

BL C 6G20- 75

SOT895A

CW;
EDGE

1800-2000

63
29,5

19
19

Драйвера

BLF 6 G20 S - 45

SOT608B

2C W-CDMA

1800-2000

2,5

19,2

BLF 6 G20- 45

SOT608A

2C W-CDMA

1800-2000

2,5

19,2

BLF 6 G2 1 - 15

SOT538B

CW

800-4000

10

TBD

BLF 3 G2 1 - 30

SOT467C

2-Tone;
PHS class A

HF-2200

30
9

13,5
16

BLF 3 G2 1 - 6

SOT538A

2-Tone;
PHS class A

HF-2200

6
2

13,5
16

BLF2045

SOT467C

CW

1800-2200

30

11

BLF1822-10

SOT467C

CW

HF-2200

12

13

BLF2043

SOT538A

CW

HF-2200

12

12

BLF2043F

SOT467C

CW

HF-2200

10

12

BLF1801-10

SOT365C

CW;
EDGE

1805-1880

10
3,5

26

 

Исполнительные устройства и драйвера до 2,2 ГГц

Продукт

Корпус

Режимы

Частота, ( мин-макс ) МГц

Выходная мощность, Вт

Усиление по мощности, дБ

Исполнительное устройство

BLF6G22-180PN

SOT539A

2C W-CDMA

2000-2200

50

17,5

BLF6G2LS2-180R

SOT502B

IS-95

2000-2200

40

16

BLF6G22-180R

SOT502A

IS-95

2000-2200

40

16

BLF6G22LS-140

SOT502B

2C W-CDMA

2000-2200

32

17

BLF6G22LS-130

SOT502B

2C W-CDMA

2000-2200

30

1 7

BLF6G22LS-100

SOT502B

2C W-CDMA

2000-2200

25

18,2

BLF6G22-100

SOT502A

2C W-CDMA

2000-2200

25

17,6

BLC6G22-100

SOT895A

2C W-CDMA

2000-2200

-

-

BLF6G22LS-75

SOT502B

2C W-CDMA

2000-2200

17

18,7

BLC6G22LS-75

SOT896B

2C W-CDMA

2000-2200

17

18,5

BLC6G22-75

SOT895A

2C W-CDMA

2000-2200

17

18,5

Драйвера

BLF6G22S-45

SOT608B

2C W-CDMA

2000-2200

2,5

18,5

BLF6G22-45

SOT608A

2C W-CDMA

2000-2200

2,5

18,5

BLM6G22-30G

SOT822-1

2C W-CDMA

2100-2200

2

29,5

BLM6G22-30

SOT8 34 -1

2C W-CDMA

2100-2200

2

29,5

BLF6G2 1 -10

SOT 538 A

CW

800-4000

10

TBD

BLF3G22-30

SOT608A

2-Tone;
PHS class A;
W-CDMA/UMTS

2000-2200

30
10
6,5

14
16
15

BLF3G21-30

SOT467C

2-Tone;
PHS class A

HF-2200

30
9

13,5
16

BLF3G21-6

SOT538A

2-Tone;
PHS class A

HF-2200

6
2

13,5
16

BLF1822-10

SOT467C

CW

HF-2200

12

13

BLF2043

SOT538A

CW

HF-2200

12

12

BLF2043F

SOT467C

CW

HF-2200

10

12

 

Корпус

Вид

Корпус

Вид

SOT502A

SOT467C

SOT502B

SOT538A

SOT896B

SOT365C

SOT895A

SOT539A

SOT608A

SOT822-1

SOT608B

SOT834-1


Широковещательные транзисторы

Более 25 лет компания Philips сохраняла свое лидерство в области производства широковещательных транзисторов, это наследие перешло компании NXP, и на данный момент компания NXP сохраняя традиции предшественника, продолжает сохранять одно из лидирующих мест в этой области, пополняя свое портфолио все новыми и новыми высококачественными продуктами. Используя технологию LDMOS, компания NXP все больше укрепляет свои позиции в области производства широковещательных транзисторов, и на данный момент выпускает более 30 видов высокочастотных транзисторов для вещательных станций, которые представлены следующими элементами

Широковещательные транзисторы NXP

Продукт

Корпус

Частота, МГц

Напряжение питания, В

Выходная мощность тип., Вт

Технология

UHF (470-860 МГц)

BLF878

SOT979A

470-860

40

300 @ PEP

LDMOS

BLF878

SOT979A

470-860

40

75 @ AVG

LDMOS

BLF871

SOT467C

470-860

40

100 @ PEP

LDMOS

BLF871

SOT467C

470-860

40

24 @ AVG

LDMOS

BLF861A

SOT540A

470-860

32

150 @ PEP

LDMOS

Универсальные до 2 ГГц

BLF 647

SOT540A

0 -800

32

150 @ PEP

LDMOS

BLF 2045

SOT 467C

0 -2000

26

30 @ PEP

LDMOS

BLF1822-10

SOT467C

0 -2200

26

10 @ PEP

LDMOS

BLF1043

SOT538A

0 -1000

26

10 @ PEP

LDMOS

BLF871

SOT467C

0 -1000

40

100 @ PEP

LDMOS

Универсальные до 500 МГц

BLF574

SOT539A

0 -500

50

400 @ CW

LDMOS

BLF573S

SOT502B

0 -500

50

300 @ CW

LDMOS

BLC573

SOT895A

0 -500

50

300 @ CW

LDMOS

BLF571

SOT467C

0 -500

50

20 @ CW

LDMOS

BLF548

SOT262A

0 -500

28

150 @ CW

VDMOS

BLF546

SOT268A

0 -500

28

80 @ CW

VDMOS

BLF544

SOT171A

0 -500

28

20 @ CW

VDMOS

BLF542

SOT171A

0 -500

28

5 @ CW

VDMOS

BLF521

SOT172D

0 -500

12,5

2 @ CW

VDMOS

BLF404

SOT409A

0 -500

12,5

4 @ CW

VDMOS

VHF (175-230 МГц)

BLF 369

SOT 800-2

175-230

32

500 @ PEP

LDMOS

BLF368

SOT262A

175-230

32

300 @ CW

VDMOS

BLF 278

SOT262A

175-230

50

25 0 @ CW

VDMOS

BLF 248

SOT262A

175-230

28

300 @ CW

VDMOS

BLF 246B

SOT261A

175-230

28

60 @ CW

VDMOS

BLF 346

SOT 119 A

175-230

28

3 0 @ CW

VDMOS

BLF 24 5 B

SOT279A

175-230

28

3 0 @ CW

VDMOS

BLF 24 5

SOT 123 A

175-230

28

3 0 @ CW

VDMOS

BLF 244

SOT 123 A

175-230

28

15 @ CW

VDMOS

BLF 242

SOT 123 A

175-230

28

5 @ CW

VDMOS

BLF 202

SOT 409 A

175-230

12,5

2 @ CW

VDMOS

HF/FM (10-108 МГц)

BLF147

SOT121B

28-108

28

15 0 @ CW

VDMOS

BLF 278

SOT262A

108

50

300 @ CW

VDMOS

BLF177

SOT121B

28-108

50

15 0 @ CW

VDMOS

BLF 246

SOT121B

108

28

80 @ CW

VDMOS

BLF175

SOT123A

28-108

50

3 0 @ CW

VDMOS

BLF145

SOT123A

28

28

3 0 @ CW

VDMOS

 

Корпус

Вид

Корпус

Вид

SOT119A

SOT409A

SOT121B

SOT467C

SOT123A

SOT538A

SOT161A

SOT539A

SOT171A

SOT540A

SOT172D

SOT800-1/2

SOT262A

SOT895A

SOT268

SOT979A

SOT279A

 

 

Транзисторы СВЧ

В портфолио СВЧ транзисторов NXP  насчитывается более десятка биполярных транзисторов, и около двух десятков высококачественных элементов выполненных по продвинутой технологии LDMOS, которые постепенно вытесняют биполярные транзисторы:

СВЧ транзисторы NXP

Продукт

Корпус

Частота, МГц

Выходная мощность, Вт

Напряжение питания, В

КПД, %

Диапазон авионики LDMOS

BLA0912-250

SOT502A

960-1215

250

36

45

BLA 1011 - 300

SOT 957 A

1030-1090

300

32

55

BLA 1011 - 200

SOT 502A

1030-1090

2 00

3 6

5 0

BLA 1011 -10

SOT467C

1030-1090

10

3 6

5 0

BLA 1011 -2

SOT538A

1030-1090

2

3 6

-

Диапазон авионики Биполярные

MX0912B351Y

SOT439A

960-1215

375

50

45

MX0912B251Y

SOT439A

960-1215

275

50

45

MX0912B100Y

SOT439A

960-1215

115

50

45

MX0912B50Y

SOT439A

960-1215

>50

50

45

L-диапазон LDMOS

BLL1214-250

SOT502A

1200-1400

250

36

50

BLL1214-35

SOT467C

1200-1400

35

36

45

L-диапазон Биполярные

RX1214B300Y

SOT439A

1200-1400

250

50

40

S-диапазон Биполярные

BLS2731-110

SOT423A

2700-3100

110

40

40

BLS2731- 50

SOT42 2 A

2700-3100

60

40

40

BLS2731- 20

SOT4 45C

2700-3100

25

40

40

BLS 3135 - 65

SOT42 2 A

3100-3500

65

40

40

BLS 3135 -20

SOT42 2 A

3100-3500

20

40

40

BLS 3135 -10

SOT445C

3100-3500

10

40

40

S-диапазон LDMOS

BLS29933-100

SOT502A

2900-3300

100

32

37

BLS6G3135-120

SOT502A

3100-3500

120

32

43

BLS6G3135S-120

SOT502B

3100-3500

120

32

43

BLS6G3135-20

SOT608A

3100-3500

20

32

45

BLS6G3135S-20

SOT608B

3100-3500

20

32

45

BLS6G2731-120

SOT502A

2700-3100

120

32

48

BLS6G2731S-120

SOT502B

2700-3100

120

32

48

BLS6G2731-6G

SOT975C

2700-3100

6

32

45

 

Корпус

Вид

Корпус

Вид

SOT422A

SOT502A

SOT423A

SOT502B

SOT439A

SOT608A

SOT443A

SOT608B

SOT445C

SOT538A

SOT467C

SOT957A

 

Транзисторы для базовых станций WiMAX

В портфолио высокочастотные транзисторы NXP для базовых станций WiMAX насчитывается более десятка транзисторов, все транзисторы выполнены по LDMOS технологии и имеют следующие параметры:

Транзисторы NXP для базовых станций WiMAX

Продукт

Корпус

Частота, МГц

Выходная мощность, Вт

Усиление по мощности, дБ

КПД, %

WiMAX (2500-2700 МГц)

BLF6G27LS-135

SOT502B

2500-2700

19

1 6

22

BLF6G27-135

SOT502A

2500-2700

19

1 6

22

BLF6G27S-45

SOT608B

2500-2700

7

18

24

BLF6G27-45

SOT608A

2500-2700

7

18

24

BLF6G27- 10G

SOT975C

2500-2700

2

15

22

BLF6G27- 10

SOT975B

2500-2700

2

15

22

WiMAX (3400-3800 МГц)

BLF6G38LS-100

SOT502B

3400-3800

18,5

13

20

BLF6G38-100

SOT502A

3400-3800

18,5

13

20

BLF6G38LS-50

SOT502B

3400-3800

9

14

22

BLF6G38-50

SOT502A

3400-3800

9

14

22

BLF6G38S-25

SOT608B

3400-3800

5

15

23

BLF6G38-25

SOT608A

3400-3800

5

15

23

BLF6G38-10G

SOT975C

3400-3800

2

13

20

BLF6G38-10

SOT975B

3400-3800

2

13

20

 

Корпус

Вид

Корпус

Вид

SOT502A

SOT896B

SOT502B

SOT895A

SOT608A

SOT975B

SOT608B

SOT975C

 

Развитие линейки мощных высокочастотных транзисторов NXP

В заключение рассмотрим планы развития мощных высокочастотных транзисторов NXP . В ближайшее время компания NXP планирует выпустить на рынок высокочастотных продуктов два новых транзистора UHF и HF диапазона, BLF888 и BLF578.

BLF888 – 50-вольтовый транзистор UHF диапазона (470-860 МГц), выполненный по передовой LDMOS технологии, с выходной мощностью 110 Вт (пиковая мощность 500 Вт), что еще больше чем у транзистора BLF878 (75 Вт/300 Вт), коэффициентом усиления по мощности 20 дБ, КПД не менее 30%, интегрированной защитой от статического электричества, в корпусе SOT 979.

BLF578 – LDMOS-транзистор, диапазона HF (до 500 МГц), с выходной мощностью до 600 Вт и до 1200 Вт в импульсном режиме, коэффициент усиления транзистора не менее 24 дБ, КПД до 70%, транзистор имеет встроенную защиту от статического электричества, выполнен в корпусе SOT 539 A .

BLA6H1011-600 – LDMOS -транзистор, диапазона (1030-1090 МГц), с выходной мощностью до 600 Вт, коэффициент усиления транзистора не менее 19 дБ, КПД до 52%, транзистор имеет встроенную защиту от статического электричества, выполнен в корпусе SOT 539 A .

 

Заключение

Подводя итоги можно с уверенностью сказать, что компания NXP на протяжении долгих лет занимала лидирующие позиции в производстве высокочастотных элементов и по-прежнему остается одним из лидеров в этой области, уступая лишь компании Freescale. Внедряя все новые технологии, компания NXP планирует и в будущем развивать высокочастотное направление своих продуктов и тем самым удерживать лидирующие позиции на рынке этой продукции.

 

 

 

Daname.DesignLab
(495) 668-26-46                 © Тритон-электронные компоненты 2005                triton@trt.ru